含硅量＞99.9999999%的多晶硅废碎料（太阳能级多晶硅除外）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:用途;3:加工方法（西门子法、硅烷热分解法等；经掺杂P型、经掺杂N型,未经掺杂）;4:成分含量;5:外观（多晶硅碎料、块料或锅底料、头尾料等）;6:是否需清洗;7:签约日期;8:品牌（中文或外文名称）;9:型号;10:GTIN;11:CAS;12:其他;
含硅量＞99.9999999%的太阳能级多晶硅
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:用途;3:加工方法（西门子法、硅烷热分解法等；经掺杂P型、经掺杂N型,未经掺杂）;4:成分含量;5:外观（多晶硅碎料、块料或锅底料、头尾料等）;6:是否需清洗;7:签约日期;8:品牌（中文或外文名称）;9:型号;10:GTIN;11:CAS;12:其他;
含硅量＞99.9999999%的太阳能级多晶硅废碎料
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:用途;3:加工方法（西门子法、硅烷热分解法等；经掺杂P型、经掺杂N型,未经掺杂）;4:成分含量;5:外观（多晶硅碎料、块料或锅底料、头尾料等）;6:是否需清洗;7:签约日期;8:品牌（中文或外文名称）;9:型号;10:GTIN;11:CAS;12:其他;
其他含硅量≥99.99%的硅废碎料（太阳能级多晶硅除外）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:用途;3:加工方法（西门子法、硅烷热分解法等；经掺杂P型、经掺杂N型,未经掺杂）;4:成分含量;5:外观（多晶硅碎料、块料或锅底料、头尾料等）;6:是否需清洗;7:签约日期;8:品牌（中文或外文名称）;9:型号;10:GTIN;11:CAS;12:其他;
含硅量≥99.99%的太阳能级多晶硅
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:用途;3:加工方法（西门子法、硅烷热分解法等；经掺杂P型、经掺杂N型,未经掺杂）;4:成分含量;5:外观（多晶硅碎料、块料或锅底料、头尾料等）;6:是否需清洗;7:签约日期;8:品牌（中文或外文名称）;9:型号;10:GTIN;11:CAS;12:其他;
含硅量≥99.99%的太阳能级多晶硅废碎料
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:用途;3:加工方法（西门子法、硅烷热分解法等；经掺杂P型、经掺杂N型,未经掺杂）;4:成分含量;5:外观（多晶硅碎料、块料或锅底料、头尾料等）;6:是否需清洗;7:签约日期;8:品牌（中文或外文名称）;9:型号;10:GTIN;11:CAS;12:其他;
其他含硅量≥99.99%的硅（太阳能级多晶硅除外）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:用途;3:加工方法（西门子法、硅烷热分解法等；经掺杂P型、经掺杂N型,未经掺杂）;4:成分含量;5:外观（多晶硅碎料、块料或锅底料、头尾料等）;6:是否需清洗;7:签约日期;8:品牌（中文或外文名称）;9:型号;10:GTIN;11:CAS;12:其他;
同时满足以下指标的用于集成电路生产的防反射薄膜生成液：挥发性有机物含量＞700g/L，反射值（N）为12.1，及吸光指数（K）（248nm或193nm波长测试）为01（以聚酯为基本成分）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:分散于或溶于非水介质请注明;5:施工状态下挥发性有机物含量（以“克/升”表示）;6:包装规格;7:品牌（中文或外文名称）;8:型号;9:是否为涂料（即是否用于涂于物体表面形成固态涂膜）;10:是否用于集成电路生产;11:GTIN;12:CAS;13:其他;
同时满足以下指标的用于集成电路生产的防反射薄膜生成液：挥发性有机物含量＞700g/L，反射值（N）为12.1，及吸光指数（K）（248nm或193nm波长测试）为01（以丙烯酸聚合物为基本成分）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:分散于或溶于非水介质请注明;5:施工状态下挥发性有机物含量（以“克/升”表示）;6:包装规格;7:品牌（中文或外文名称）;8:型号;9:是否为涂料（即是否用于涂于物体表面形成固态涂膜）;10:是否用于集成电路生产;11:GTIN;12:CAS;13:其他;
同时满足以下指标的用于集成电路生产的防反射薄膜生成液：挥发性有机物含量＞700g/L，反射值（N）为12.1，及吸光指数（K）（248nm或193nm波长测试）为01（以乙烯聚合物为基本成分）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:分散于或溶于非水介质请注明;5:施工状态下挥发性有机物含量（以“克/升”表示）;6:包装规格;7:品牌（中文或外文名称）;8:型号;9:是否为涂料（即是否用于涂于物体表面形成固态涂膜）;10:是否用于集成电路生产;11:GTIN;12:CAS;13:其他;
