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电子测试机
数据更新：1970年01月01日
同时满足以下指标的用于集成电路生产的防反射薄膜生成液：挥发性有机物含量＞700g/L，反射值（N）为12.1，及吸光指数（K）（248nm或193nm波长测试）为01
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:分散于或溶于非水介质请注明;5:施工状态下挥发性有机物含量（以“克/升”表示）;6:包装规格;7:品牌（中文或外文名称）;8:型号;9:是否为涂料（即是否用于涂于物体表面形成固态涂膜）;10:是否用于集成电路生产;11:GTIN;12:CAS;13:其他;
同时满足以下指标的用于集成电路生产的防反射薄膜生成液：挥发性有机物含量＞700g/L，反射值（N）为12.1，及吸光指数（K）（248nm或193nm波长测试）为01（以丙烯酸聚合物或乙烯聚合物为基本成分）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:施工状态下挥发性有机物含量（以“克/升”表示）;5:品牌（中文或外文名称）;6:型号;7:是否用于集成电路生产;8:GTIN;9:CAS;10:其他;
同时满足以下指标的用于集成电路生产的防反射薄膜生成液：挥发性有机物含量＞700g/L，反射值（N）为12.1，及吸光指数（K）（248nm或193nm波长测试）为01（以环氧树脂为基本成分）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:施工状态下挥发性有机物含量（以“克/升”表示）;5:品牌（中文或外文名称）;6:型号;7:是否用于集成电路生产;8:GTIN;9:CAS;10:其他;
同时满足以下指标的用于集成电路生产的防反射薄膜生成液：挥发性有机物含量＞700g/L，反射值（N）为12.1，及吸光指数（K）（248nm或193nm波长测试）为01（以氟树脂为基本成分）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:施工状态下挥发性有机物含量（以“克/升”表示）;5:品牌（中文或外文名称）;6:型号;7:是否用于集成电路生产;8:GTIN;9:CAS;10:其他;
同时满足以下指标的用于集成电路生产的防反射薄膜生成液：挥发性有机物含量＞700g/L，反射值（N）为12.1，及吸光指数（K）（248nm或193nm波长测试）为01
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:施工状态下挥发性有机物含量（以“克/升”表示）;5:品牌（中文或外文名称）;6:型号;7:是否用于集成电路生产;8:GTIN;9:CAS;10:其他;
经掺杂用于电子工业的化学元素,已切成圆片、薄片或类似形状;经掺杂用于电子工业的化合物：
7.5cm≤直径≤15.24cm单晶硅片（经掺杂用于电子工业的）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:用途;3:外观;4:成分;5:直径;6:加工程度（是否形成分立的导电区）;7:GTIN;8:CAS;9:其他;
直径〉15.24cm的单晶硅片(经掺杂用于电子工业的)
其他经掺杂用于工业的晶体切片(包括经掺杂用于电子工业的化学元素及化合物)
