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薄膜式电阻
数据更新：1970年01月01日
合成或薄膜式固定碳质电阻器
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:结构类型（合成式或薄膜式）;3:介质;4:品牌（中文或外文名称）;5:型号;6:GTIN;7:CAS;8:其他;
额定功率≤20瓦其他固定电阻器（额定功率≤20瓦片式电阻除外）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:额定功率;3:结构类型（片式、线绕式等）;4:品牌（中文或外文名称）;5:型号;6:GTIN;7:CAS;8:其他;
直缝焊管机（电阻焊接式，全自动或半自动的）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:原理;3:是否为全自动或半自动;4:品牌（中文或外文名称）;5:型号;6:GTIN;7:CAS;8:其他;
苄菊酯,苯醚菊酯,右旋苯醚菊酯,富右旋反式苯醚菊酯,苄烯菊酯,氯菊酯,生物氯菊酯,氯烯炔菊酯,联苯菊酯,七氟菊酯,四氟苯菊酯,五氟苯菊酯,七氟甲醚菊酯,甲氧苄氟菊酯,氯氟醚菊酯,戊菊酯,环螨酯,四氟甲醚菊酯,烯炔菊酯（四氟醚菊酯,右旋烯炔菊酯,富右旋反式烯炔菊酯,炔丙菊酯,右旋炔丙菊酯,富右旋反式炔丙菊酯,氯丙炔菊酯,右旋反式氯丙炔菊酯,除虫菊素I,瓜叶菊素I,茉酮菊素I）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:GTIN;5:CAS;6:其他;
环戊烯丙菊酯,调环酸,抗倒酯,环虫菊酯,烯丙菊酯,右旋烯丙菊酯、富右旋反式烯丙菊酯、右旋反式烯丙菊酯,Es生物烯丙菊酯、生物烯丙菊酯,S生物烯丙菊酯,乙酰氟菊酯
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:GTIN;5:CAS;6:其他;
腐霉利,菌核净,菌核利,甲菌利,乙菌利,氟烯草酸,胺菊酯,右旋胺菊酯,右旋反式胺菊酯,富右旋反式胺菊酯
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:GTIN;5:CAS;6:其他;
甲氰菊酯,S氰戊菊酯,氯氟氰菊酯,氰氟虫腙,氟氯氰菊酯,高效氯氰菊酯,高效反式氯氰菊酯,高效氟氯氰菊酯,杀螟腈,甲基辛硫磷,敌草腈,碘苯腈,辛酰碘苯腈,溴苯腈,辛酰溴苯腈,氯辛硫磷,戊氰威,苯醚氰菊酯,稻瘟酰胺(丙螨氰,右旋苯醚氰菊酯)
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:GTIN;5:CAS;6:其他;
戊烯氰氯菊酯,溴氯氰菊酯,高效氯氟氰菊酯、精高效氯氟氰菊酯,溴氰菊酯,四溴菊酯,氟丙菊酯,氟氯苯菊酯,氰戊菊酯,乙氰菊酯,氟氰戊菊酯,溴氟菊酯,溴灭菊酯,氰菌胺,百菌清,霜脲氰,溴菌腈,氟胺氰菊酯,氰氟草酯,氰烯菌酯（富右旋反式苯氰菊酯,辛硫磷,丁氟螨酯）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:GTIN;5:CAS;6:其他;
同时满足以下指标的用于集成电路生产的防反射薄膜生成液：挥发性有机物含量＞700g/L，反射值（N）为12.1，及吸光指数（K）（248nm或193nm波长测试）为01（以聚酯为基本成分）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:分散于或溶于非水介质请注明;5:施工状态下挥发性有机物含量（以“克/升”表示）;6:包装规格;7:品牌（中文或外文名称）;8:型号;9:是否为涂料（即是否用于涂于物体表面形成固态涂膜）;10:是否用于集成电路生产;11:GTIN;12:CAS;13:其他;
同时满足以下指标的用于集成电路生产的防反射薄膜生成液：挥发性有机物含量＞700g/L，反射值（N）为12.1，及吸光指数（K）（248nm或193nm波长测试）为01（以丙烯酸聚合物为基本成分）
申报要素 » 0:品牌类型;1:出口享惠情况;2:成分含量;3:用途;4:分散于或溶于非水介质请注明;5:施工状态下挥发性有机物含量（以“克/升”表示）;6:包装规格;7:品牌（中文或外文名称）;8:型号;9:是否为涂料（即是否用于涂于物体表面形成固态涂膜）;10:是否用于集成电路生产;11:GTIN;12:CAS;13:其他;
